ساخت نانوسیم های کبالت با وادارندگی بالا با استفاده از بهینه شدن تبلور در طول نانوسیم ها

نانوسیم های کبالت به لحاظ ناهمسانگردی مغناطوبلوری تک محوری، به شدت مورد علاقه محققان جهت ساخت حافظه های مغناطیسی عمودی می باشند. بررسیهای نظری نشان داده است که ساخت نانوسیم های تک بلور کبالت با جهت گیری مناسب، امکان دسترسی به وادارندگی های بالا را فراهم می سازد. برای ساخت نانوسیم های کبالت در تحقیق حاضر، از روش الکتروانباشت پالس در داخل قالب های آلومینا تهیه شده از روش آندایز دومرحله ای در اسید اکسالیک و اسید سولفوریک تحت شرایط بهینه برای جهت گیری بلوری مناسب، استفاده شده است. بعد از الکتروانباشت نانوسیم ها، آنالیزهایxrd، حلقه پسماند و forc از نانوسیم هاصورت می پذیرفتند که در ادامه به منظور بررسی خواص بلوری و مغناطیسی در طول آن ها، فرآیند خورده شدن نانوسیم ها در اسید فسفریک انجام می شد و زمانی که 30%،60% و90% از مغناطش اولیه کاسته می شد، آنالیزهای ذکر شده مجددا انجام می گرفتند. آنالیز xrd تغییر ساختار بلوری از حالت چند بلور در مرحله اولیه به ساختاری تک بلور در طول نانوسیم ها را آشکار کرد. از سویی دیگر، نتایج حلقه های پسماند، وادارندگی 4/9koeدر دمای اتاق و داشتن نسبت مربعی 100% را برای حالت بهینه از تبلور در طول نانوسیم ها نشان داد که این نتیجه، حاکی از بهبود وادارندگی تا حدود 50% نسبت به بیشینه وادارندگی موجود از گزارش های قبلی روی نانوسیم های کبالت می باشد. . از طرفی، آنالیز forc وجود ساختار تک حوزه مغناطیسی در آن حالت بهینه را تایید کرد ضمن آن که الگوهای saed تهیه شده نیز، وجود ساختار تک بلور در حالت بهینه را نشان دادند .